Πολύ πρακτικές συμβουλές: Απαιτήσεις και μέθοδοι επιθεώρησης ηλεκτρονικών εξαρτημάτων----Συσκευές ημιαγωγών (2-Τι είναι το Triode 2)

https://www.kaichuanpower.com/

Σωλήνας εφέ πεδίου: Ο σωλήνας εφέ πεδίου MOS είναι ένας σωλήνας εφέ πεδίου μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού, η αγγλική συντομογραφία είναι MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), ο οποίος είναι τύπος μονωμένης πύλης.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>Το VT παίρνει διαφορετικές τιμές, η αγωγιμότητα του στρώματος αναστροφής θα αλλάξει και διαφορετικά IDS θα δημιουργηθούν κάτω από το ίδιο VDS, πραγματοποιώντας τον έλεγχο της τάσης πύλης-πηγής VGS στο IDS ρεύματος πηγής-αποχέτευσης.
Ταξινόμηση εφέ πεδίου: Τα τρανζίστορ φαινομένου πεδίου περιλαμβάνουν κυρίως τρανζίστορ φαινομένου πεδίου διασταύρωσης (JFET) και τρανζίστορ φαινομένου πεδίου με μόνωση (IGFET). Το υπόστρωμα (Β) του τρανζίστορ εφέ πεδίου μονωμένης πύλης συνδέεται με την πηγή (S). Οι τρεις πόλοι του είναι η πύλη (G), ο αγωγός (D) και η πηγή (S). Τα τρανζίστορ χωρίζονται σε τρανζίστορ NPN και PNP και οι τρεις πόλοι τους είναι η βάση (b), ο συλλέκτης (c) και ο πομπός (e). Οι πόλοι G, D και S του τρανζίστορ φαινομένου πεδίου έχουν παρόμοιες λειτουργίες με τους πόλους b, c και e του τρανζίστορ. Η διαφορά μεταξύ των τρανζίστορ εφέ τύπου μονωμένης πύλης και των τρανζίστορ εφέ πεδίου τύπου διασταύρωσης είναι ότι οι αγώγιμοι μηχανισμοί και οι αρχές ελέγχου ρεύματος διαφέρουν θεμελιωδώς. Οι σωλήνες τύπου διασταύρωσης χρησιμοποιούν την αλλαγή στο πλάτος της περιοχής εξάντλησης για να αλλάξουν το πλάτος του αγώγιμου καναλιού προκειμένου να ελέγξουν το ρεύμα αποστράγγισης. Τα τρανζίστορ εφέ πεδίου Insulation Gate χρησιμοποιούν το φαινόμενο ηλεκτρικού πεδίου στην επιφάνεια του ημιαγωγού και την ποσότητα του ηλεκτρικά επαγόμενου φορτίου για να αλλάξουν το αγώγιμο κανάλι για να ελέγξουν το ρεύμα. Η διαφορά στις ιδιότητες τους σημαίνει ότι τα τρανζίστορ εφέ πεδίου διακλάδωσης χρησιμοποιούνται συχνά στο στάδιο εισόδου (προ-στάδιο) των ενισχυτών ισχύος, ενώ τα τρανζίστορ εφέ πεδίου μόνωσης πύλης χρησιμοποιούνται στο τελικό στάδιο (στάδιο εξόδου) των ενισχυτών ισχύος. Η αρχή λειτουργίας του τρανζίστορ φαινομένου πεδίου είναι η ίδια με αυτή του τριόδου, με τη διαφορά ότι το ένα από αυτά είναι ένα εξάρτημα ελεγχόμενο από τάση και το άλλο είναι ένα στοιχείο ελεγχόμενο από ρεύμα. Το τρανζίστορ εφέ πεδίου έχει μόνο μία σύνδεση PN, όπως φαίνεται στο σχήμα 1-1